三星全力投入10nm存储器制程拉大市场差距

时间:2022-09-15 01:06

本文摘要:三星电子(SamsungElectronics)半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部旗下半导体都是兼任系统LSI事业部长金奇南,将以10奈米级记忆体晶片量产一决胜负。DS事业部的技术研发和投资焦点,也从设计技术移往到制程技术。 自1993年起,三星在记忆体市场上保持多达20年的霸主地位,秘诀就在于提高制程技术,拉大与竞争对手的差距。 据南韩经济日报报导,金奇南在2014年2月接替记忆体事业部长职务后曾命令,将全力下注在平面记忆体晶片电路精细化。

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三星电子(SamsungElectronics)半导体事业暨装置解决方案(DS)事业部旗下半导体都是兼任系统LSI事业部长金奇南,将以10奈米级记忆体晶片量产一决胜负。DS事业部的技术研发和投资焦点,也从设计技术移往到制程技术。  自1993年起,三星在记忆体市场上保持多达20年的霸主地位,秘诀就在于提高制程技术,拉大与竞争对手的差距。

  据南韩经济日报报导,金奇南在2014年2月接替记忆体事业部长职务后曾命令,将全力下注在平面记忆体晶片电路精细化。截至2013年,三星记忆体事业部仍致力于研发系统晶片控制器和40奈米级NAND横向填充3D技术,但转入2014年后依照金奇南的命令,将切换焦点到平面记忆体识制程。

  三星内部人员透漏,美国等海外半导体厂展开技术投资,强化研发电路微细化制程和材料技术,并致力推展四重微影(QPT)等制程技术商用化。三星仍持续研发3D技术,但目前将把焦点放到平面NANDFlash制程微细化上。  记忆体晶片可分成DRAM和NANDFlash两大类。

主要DRAM厂三星、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等都以20奈米级制程生产。NAND方面,三星和东芝(Toshiba)的制程发展到19奈米后,转至3D技术,SK海力士则打算以16奈米级制程生产。  电路线幅就越削减,可使电子更容易移动,耗电量就越小,驱动速度更加慢。一片晶圆可生产的半导体数量减少,价格也就越较低。


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